第四章 電子顯微鏡主主 要要 內(nèi)內(nèi) 容容? 電子衍射的原理? 電鏡基礎(chǔ)? 透射電鏡(TEM)及其應(yīng)用? 掃描電鏡(SEM)及其應(yīng)用? 掃描探針顯微鏡SPM(SEM/EPMA或AES）及其應(yīng)用透射電鏡透射電鏡 TEMTEM? 透射電鏡（透射電鏡（TEMTEM），可以以幾種不同的形式出現(xiàn)，如：），可以以幾種不同的形式出現(xiàn)，如：高分辨電鏡（高分辨電鏡（HRTEMHRTEM））透射掃描電鏡（透射掃描電鏡（STEMSTEM））分析型電鏡（分析型電鏡（AEMAEM）等等? 入射電子束（照明束）也有兩種主要形式：入射電子束（照明束）也有兩種主要形式：平行束：透射電鏡成像及衍射平行束：透射電鏡成像及衍射會(huì)聚束：掃描透射電鏡成像、微分析及微衍射會(huì)聚束：掃描透射電鏡成像、微分析及微衍射TEM的形式的形式透射電鏡透射電鏡(TEM)1. 常規(guī)TEM的結(jié)構(gòu)原理2. CTEM的操作型式3. TEM技術(shù)4. TEM的應(yīng)用?照明系統(tǒng) Illuminating system?電子槍 Electron gun?聚光透鏡 Condenser lenses?樣品操作系統(tǒng) specimen manipulation system?制樣 Specimen stage?樣品托 specimen holder?成像系統(tǒng) Imaging system?物鏡 Objective lens?中間鏡 intermediate lens?投影鏡 projector lens1.常規(guī)TEM的結(jié)構(gòu)照明系統(tǒng)、樣品操作系統(tǒng)、成像系統(tǒng)、記錄系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和電器系統(tǒng)照明系統(tǒng)照明系統(tǒng)? 作用：提供亮度高、相干性好、束流穩(wěn)定的照明電子束。

? 組成：電子槍電子槍 和和 聚光透鏡聚光透鏡鎢絲熱電子源電子源LaB6場(chǎng)發(fā)射源1. 常規(guī)TEM的結(jié)構(gòu)原理（1）鏡筒構(gòu)造（i）照明系統(tǒng)--- 電子槍和雙聚光鏡---可調(diào)電子束+ +- -TEMMagnet “l(fā)enses”Beam spreaderFilamentFocussedElectron beamSampleElectronsUltra vacuumTo a very efficient pumpWindowPhosphore coated target?鏡筒?真空系統(tǒng)?電源透射電子顯微鏡工作原理及構(gòu)造透射電子顯微鏡工作原理及構(gòu)造? 工作原理工作原理? 成像原理與光學(xué)顯微鏡類似成像原理與光學(xué)顯微鏡類似? 根本根本不同點(diǎn)不同點(diǎn)在于光學(xué)顯微鏡以可見光作照明束，在于光學(xué)顯微鏡以可見光作照明束，透射電子顯微鏡以電子為照明束在光學(xué)顯微鏡透射電子顯微鏡以電子為照明束在光學(xué)顯微鏡中將可見光聚焦成像的是玻璃透鏡，在電子顯微中將可見光聚焦成像的是玻璃透鏡，在電子顯微鏡中相應(yīng)的為磁透鏡鏡中相應(yīng)的為磁透鏡? 由于電子波長(zhǎng)極短，同時(shí)與物質(zhì)作用遵從布拉格由于電子波長(zhǎng)極短，同時(shí)與物質(zhì)作用遵從布拉格（（Bragg）方程，產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，使得透射電鏡）方程，產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，使得透射電鏡自身在具有高的像分辨本領(lǐng)的同時(shí)兼有結(jié)構(gòu)分析自身在具有高的像分辨本領(lǐng)的同時(shí)兼有結(jié)構(gòu)分析的功能。

的功能透射電鏡的構(gòu)造1.電子光學(xué)系統(tǒng)電子光學(xué)系統(tǒng)?照明系統(tǒng)照明系統(tǒng)電子槍電子槍雙聚光鏡雙聚光鏡:第一級(jí)聚光鏡是短焦距強(qiáng)磁透鏡,以縮小后焦面上的光斑;第二級(jí)聚光鏡減少照明孔徑角,以得到接近平行光軸的電子束,提高分辨率?成像系統(tǒng)成像系統(tǒng)物鏡物鏡:電鏡的”心臟”中間鏡中間鏡:改變放大倍數(shù);選擇成像或衍射模式投影鏡投影鏡:接力放大圖像;因孔徑角小使景深大 , 焦深長(zhǎng)?觀察和照相系統(tǒng)觀察和照相系統(tǒng)2真空和供電系統(tǒng)真空和供電系統(tǒng)? （ii）成像放大系統(tǒng)--- 由物鏡形成樣品的初像在它的像平面上（形成的衍射花樣在它的背焦面），再經(jīng)中間鏡, 投影鏡連續(xù)放大至熒光屏（物鏡的像差設(shè)計(jì)）*在調(diào)節(jié)CTEM放大倍數(shù)時(shí)，通常物鏡和投影鏡的電流電流是設(shè)定的，電鏡在整個(gè)范圍內(nèi)的倍率變化僅僅藉改變中間鏡電流中間鏡電流實(shí)現(xiàn)數(shù)百倍至上百萬(wàn)倍）（iii）觀察、記錄系統(tǒng) --- 最終像，呈現(xiàn)于熒光屏上，記錄在熒光屏下面的電子感光板上TEM成像系統(tǒng)的成像系統(tǒng)的兩種基本操作兩種基本操作(a)將衍射譜投影到熒光屏(b)將顯微像投影到熒光屏TEM由于入射電子透射試樣后，與試樣內(nèi)部原子發(fā)生相互作用，從而改變其能量及運(yùn)動(dòng)方向顯然，不同結(jié)構(gòu)有不同的相互作用。

可以根據(jù)透射電子圖象所獲得的信息來(lái)了解試樣內(nèi)部的結(jié)構(gòu)由于試樣結(jié)構(gòu)和相互作用的復(fù)雜性，所獲得的圖象也很復(fù)雜它不象表面形貌那樣直觀、易懂因此，如何對(duì)一張電子圖象獲得的信息作出正確的解釋和判斷，不但很重要也很困難必須建立一套相應(yīng)的理論才能對(duì)透射電子象作出正確的解釋如前所述電子束透過(guò)試樣所得到的透射電子束的強(qiáng)度及方向均發(fā)生了變化，由于試樣各部位的組織結(jié)構(gòu)不同，因而透射到熒光屏上的各點(diǎn)強(qiáng)度是不透射到熒光屏上的各點(diǎn)強(qiáng)度是不均勻的，這種均勻的，這種強(qiáng)度的不均勻分布強(qiáng)度的不均勻分布現(xiàn)象稱為現(xiàn)象稱為襯度襯度，，所獲得的電子所獲得的電子像稱稱透射電子襯度象透射電子襯度象其形成的機(jī)制有兩種：其形成的機(jī)制有兩種：1.相位襯度(phase contrast)如果透射束與衍射束可以重新組合，從而保持它們的振幅和位相，則可直接得到產(chǎn)生衍射的那些晶面的晶格象，或一個(gè)個(gè)原子的晶體結(jié)構(gòu)象晶體結(jié)構(gòu)象僅適于很薄的晶體試樣(≈100?)當(dāng)薄試樣中細(xì)節(jié) ?1.5nm 時(shí)，它僅改變?nèi)肷涿娌ǖ南辔?，即?dāng)透過(guò)束和散射束離開樣品底面時(shí)，存在相位差，改變的大小正比于在電子束方向的樣品的電位分布投影通過(guò)物鏡光欄的透過(guò)束和散射束之間相互干涉，相位差轉(zhuǎn)換成像中的強(qiáng)度差而成像。

故使得盡可能多的被試樣散射的電子通過(guò)物鏡光欄很重要這種像襯度即相位襯度（與物鏡球差和失焦量密切相關(guān)）2. 振幅襯度振幅襯度是由于入射電子通過(guò)試樣時(shí)，與試樣內(nèi)原子發(fā)生相互作用而發(fā)生振幅的變化，引起反差振幅襯度主要有質(zhì)厚襯度和衍射襯度兩種：① 質(zhì)厚襯度由于試樣的質(zhì)量和厚度不同，各部分對(duì)入射電子發(fā)生相互作用，產(chǎn)生的吸收與散射程度不同，而使得透射電子束的強(qiáng)度分布不同，形成反差，稱為質(zhì)-厚襯度② 衍射襯度衍射襯度主要是由于晶體試樣滿足布拉格反射條件程度差異及結(jié)構(gòu)振幅不同而形成電子圖像反差僅屬于晶體結(jié)構(gòu)物質(zhì),對(duì)非晶體試樣則不存在2. CTEM的操作型式? （1）亮場(chǎng)像? （2）暗場(chǎng)像? （3）選區(qū)電子衍射? （4）衍射圖的分析衍射襯度形成機(jī)理衍射襯度形成機(jī)理------ 明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像? 前面已經(jīng)講過(guò),衍射襯度是來(lái)源于晶體試樣各部分滿足布拉格反射條件不同和結(jié)構(gòu)振幅的差異TEM圖像可用明暗場(chǎng)照明法取得暗場(chǎng)照相與明場(chǎng)照相共用，是用來(lái)鑒定多晶樣品中的物相和晶體取向的極有力的工具設(shè)入射電子束恰好與OA晶粒的(h1k1l1)平面交成精確的布拉格角θ θ，形成強(qiáng)烈衍射，而OB晶粒則偏離Bragg反射，結(jié)果在物鏡的背焦面上出現(xiàn)強(qiáng)的衍射斑 h1k1l1。

若用物鏡光欄將h1k1l1擋住，不讓其通過(guò)，只讓透射束通過(guò)，這樣由于通過(guò)OA晶粒的入射電子受到(h1k1l1)晶面反射并受到物鏡光欄擋住，因此在熒光屏上就成為暗區(qū)，而OB晶粒則為亮區(qū)，從而形成明暗反差OO由于這種襯度是由于存在由于存在布拉格衍射布拉格衍射造成的，因此，造成的，因此，稱為稱為衍射襯度衍射襯度設(shè)入射電子強(qiáng)度為I0，(hkl)衍射強(qiáng)度為Ihkl，則A晶粒的強(qiáng)度為 IA= I0- Ihkl，B晶粒的為 IB= I0，其反差為 IA/ IB= (I0- Ihkl)/I0亮場(chǎng)像——上述采用物鏡光欄將衍射束擋掉，只讓透射束通過(guò)而得到圖象襯度的方法稱為明場(chǎng)成像，所得的圖象稱為明場(chǎng)像暗場(chǎng)像——用物鏡光欄擋住透射束及其余衍射束，而只讓一束強(qiáng)衍射束通過(guò)光欄參與成像的方法，稱為暗場(chǎng)成像，所得圖象為暗場(chǎng)像暗場(chǎng)成像有兩種方法：偏心暗場(chǎng)像與中心暗場(chǎng)像必須指出：必須指出：① 只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像之分，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，即在明場(chǎng)下是亮線，在暗場(chǎng)下則為暗線，其條件是，此暗線確實(shí)是所選用的操作反射斑引起的② 它不是表面形貌的直觀反映，是入射電子束與晶體試樣之間相互作用后的反映為了使衍襯像與晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)關(guān)系有機(jī)的聯(lián)系起來(lái)，從而能夠根據(jù)衍襯像來(lái)分析晶體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，探測(cè)晶體內(nèi)部的缺陷，必須建立一套理論，這就是衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)理論和動(dòng)力學(xué)理論（不講）。

選區(qū)電子衍射選區(qū)電子衍射會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射當(dāng)電子束透過(guò)結(jié)晶試樣時(shí),透過(guò)束及衍射束經(jīng)物鏡作用使在它的后焦面上造成衍射花樣,在它的像面上則產(chǎn)生一次放大像減少中間鏡電流,使其物面與物鏡后焦面相重，即把物鏡后焦面上所形成的衍射花樣投射到它的像面上,即投影鏡面上, 再經(jīng)投影鏡放大而使衍射花樣呈現(xiàn)在熒光屏上選區(qū)電子衍射選區(qū)電子衍射(SAED)如有一限制視場(chǎng)光欄（孔徑D）放置在物鏡像面上，相當(dāng)于在樣品上只有D/M (M物鏡放大倍數(shù)) 的面積為選區(qū)大小因受物鏡球差限制，結(jié)果使試樣的像和衍射花樣之間的對(duì)應(yīng)造成問(wèn)題，即衍射誤差故一般TEM的選區(qū)直徑只能 ? 0.5 um在物鏡像平面上插入選區(qū)光欄實(shí)現(xiàn)選區(qū)衍射的示意圖Ring pattern IndexingS S0 0/l=k k0 0S S/l=k kg ghklhkl(hkl)(hkl)000(hkl)(hkl)R RhklhklL=L=相機(jī)相機(jī)長(zhǎng)度長(zhǎng)度R’R’hklhklqqθ很小時(shí)很小時(shí)(electron (electron diffraction)diffraction), ,R’R’hklhkl＝＝R Rhklhklr/L = sinθ, r = R/2 (1) 2 d sinθ = λ (2)θ很小時(shí)很小時(shí) tgθ = R/2L = θλ/d = 2sinθ = 2θ = R/L λL = RdλL 稱相機(jī)常數(shù)相機(jī)常數(shù)相似三角形相似三角形(1/(1/ll)/ )/g ghklhkl＝＝L/L/R RhklhklRd = Rd = llL L? 衍射圖的分析---在攝取電子衍射底片時(shí)，須在同樣操作條件下，用多晶金膜或其他標(biāo)樣取得衍射環(huán)照片，作計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)。

電子衍射與X射線衍射都需要滿足Bragg條件才能產(chǎn)生假如電鏡整個(gè)系統(tǒng)幾何位置保持不變，則λL取決于加速電壓和各透鏡電流實(shí)際操作時(shí)，λL值是變化的，故需在分析衍射花樣時(shí)，用從已知面間距d的標(biāo)準(zhǔn)樣的衍射花樣算出的λL值來(lái)校正操作三要素? （（1）鏡筒光學(xué)系統(tǒng)的合軸）鏡筒光學(xué)系統(tǒng)的合軸? （（2）物鏡像散的調(diào)節(jié)）物鏡像散的調(diào)節(jié)? （（3）照明條件的選擇）照明條件的選擇3. TEM技術(shù)(i)分辨力的檢測(cè)---照明光波長(zhǎng)、透鏡孔徑角、透鏡像差---電源穩(wěn)定度、鏡筒剛度（環(huán)境的振動(dòng)）、雜散磁場(chǎng)等的干擾最常用的儀器分辨力檢測(cè)法 --- 重金屬蒸發(fā)粒子法（測(cè)點(diǎn)分辨力）和晶面間距法（測(cè)晶格條紋點(diǎn)分辨力）1）儀器性能的檢測(cè)對(duì)電鏡照片的分析，應(yīng)先從各種資料中盡可能地對(duì)從各種資料中盡可能地對(duì)被分析樣品有所了解，估計(jì)可能出現(xiàn)的結(jié)果被分析樣品有所了解，估計(jì)可能出現(xiàn)的結(jié)果，再與電鏡照片進(jìn)行比對(duì)，做出正確的解釋? 對(duì)于金屬氧化物可能具有一些典型的構(gòu)成形狀，如球形，條形，支形或核形等等，可以根據(jù)這些形狀來(lái)判斷金屬氧化物的種類和生長(zhǎng)情況? 現(xiàn)代電鏡一般都帶有“能譜”附件，對(duì)于不好判斷的晶粒形狀，可以使用X光能譜對(duì)所分析的樣品做分區(qū)元素分析，然后再做出其正確的判斷。

單晶金膜：測(cè)晶格條紋像中相應(yīng)的晶面間距d002=0.2039nm,d020=0.1442nm部分石墨化碳黑：測(cè)晶格條紋像中相應(yīng)面間距d002= 0.34nm重金屬真空蒸發(fā)粒子：直接測(cè)定顯微圖上兩個(gè)可分辨點(diǎn)之間最小距離（假設(shè)在像中的兩個(gè)點(diǎn)在同一物面上，實(shí)際樣品有一定厚度的）采用標(biāo)準(zhǔn)膠乳球（用于低倍放大倍數(shù)的校正）衍射光柵復(fù)型（適于低、中倍放大倍數(shù)的校正）直接晶格條紋像（適于高倍放大倍數(shù)的校正）步驟：在某加速電壓下，以連續(xù)變化的中間鏡電流中間鏡電流對(duì)放大倍數(shù)作圖一般校正的精度達(dá) 2~5%膠乳球光柵復(fù)型晶格條紋像(ii) 放大倍數(shù)的校正常用方法：樣品制備樣品制備? TEM樣品可分為間接樣品和直接樣品? 要求：? （1）供TEM分析的樣品必須對(duì)電子束是透明的，通常樣品觀察區(qū)域的厚度以控制在約100~200nm為宜? （2）所制樣品須具有代表性以真實(shí)反映所分析材料的某些特征因此，樣品制備時(shí)不可影響這些特征，如已產(chǎn)生影響則須知影響的方式和程度間接樣品間接樣品(復(fù)型復(fù)型)的制備的制備? 對(duì)復(fù)型材料的主要要求：對(duì)復(fù)型材料的主要要求：? ①?gòu)?fù)型材料本身必須是非晶態(tài)的；①?gòu)?fù)型材料本身必須是非晶態(tài)的；? ②有足夠的強(qiáng)度和剛度，良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和耐②有足夠的強(qiáng)度和剛度，良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和耐電子束轟擊性能。

電子束轟擊性能? ③復(fù)型材料的分子尺寸應(yīng)盡量小，以利于提高復(fù)③復(fù)型材料的分子尺寸應(yīng)盡量小，以利于提高復(fù)型的分辨率，更深入地揭示表面形貌的細(xì)節(jié)特征型的分辨率，更深入地揭示表面形貌的細(xì)節(jié)特征? 常用的復(fù)型材料是非晶碳膜和各種塑料薄膜常用的復(fù)型材料是非晶碳膜和各種塑料薄膜塑料塑料-碳二級(jí)復(fù)型制備過(guò)程示意圖碳二級(jí)復(fù)型制備過(guò)程示意圖直接樣品的制備直接樣品的制備? 粉末樣品制備? 制備關(guān)鍵是如何將超細(xì)粉顆粒分散開，各自獨(dú)立不團(tuán)聚? 膠粉混合法：在干凈玻璃片上滴火棉膠溶液，后在玻璃片膠液上放少許粉末并攪勻，將另一玻璃片壓上，兩玻璃片對(duì)研并突然抽開，稍候，膜干用刀片劃成小方格，將玻璃片斜插入水杯中，膜片逐漸脫落，用銅網(wǎng)將方形膜撈出，待觀察? 支持膜分散粉末法： 需TEM分析的粉末顆粒一般都遠(yuǎn)小于銅網(wǎng)小孔，因此要先制備對(duì)電子束透明的支持膜常用的支持膜有火棉膠膜和碳膜，將支持膜放在銅網(wǎng)上，再把粉末放在膜上送入電鏡分析晶體薄膜樣品的制備晶體薄膜樣品的制備? 一般程序：一般程序：? (1)初減薄初減薄————制備厚度約制備厚度約100~200??m的薄片；的薄片；? (2)從薄片上切取從薄片上切取??3mm的圓片；的圓片；? (3)預(yù)減薄預(yù)減薄————從圓片的一側(cè)或兩則將圓片中心區(qū)從圓片的一側(cè)或兩則將圓片中心區(qū)域減薄至數(shù)域減薄至數(shù)??m；；? (4)終減薄。

終減薄金屬樣品的，先機(jī)械研磨后，雙噴電解減薄，或者金屬樣品的，先機(jī)械研磨后，雙噴電解減薄，或者離子減薄陶瓷樣品機(jī)械研磨后上離子減薄，高分離子減薄陶瓷樣品機(jī)械研磨后上離子減薄，高分子用超薄切片機(jī)子用超薄切片機(jī)雙噴電解拋光裝置原理圖4. TEM的應(yīng)用電鏡照片的分析? 對(duì)電鏡照片的分析，應(yīng)先從各種資料中盡可能地對(duì)從各種資料中盡可能地對(duì)被分析樣品有所了解，估計(jì)可能出現(xiàn)的結(jié)果被分析樣品有所了解，估計(jì)可能出現(xiàn)的結(jié)果，再與電鏡照片進(jìn)行比對(duì)，做出正確的解釋? 對(duì)于金屬氧化物可能具有一些典型的構(gòu)成形狀，如球形，條形，支形或核形等等，可以根據(jù)這些形狀來(lái)判斷金屬氧化物的種類和生長(zhǎng)情況? 現(xiàn)代電鏡一般都帶有“能譜”附件，對(duì)于不好判斷的晶粒形狀，可以使用X光能譜對(duì)所分析的樣品做分區(qū)元素分析，然后再做出其正確的判斷單晶，多晶與非晶的比較單晶，多晶與非晶的比較使用電鏡的電子衍射功能可以判斷樣品的結(jié)晶狀態(tài)：? 單晶為排列完好的點(diǎn)陣點(diǎn)陣? 多晶為一組序列直徑的同心環(huán)序列直徑的同心環(huán)? 非晶為一對(duì)稱的球形對(duì)稱的球形（1）結(jié)晶型、晶粒大小、孔結(jié)構(gòu)(i)結(jié)晶型: 不同晶型材料的TEM圖呈現(xiàn)各自的形態(tài)特征?-Al2O3, ?- Al2O3(XRD衍射圖相似)金顆粒三氧化二鐵(ii) 晶粒大小及分布粒子是固體材料的基本特性之一。

負(fù)載型金屬催化劑的性能與活性組分粒徑密切相關(guān).在TEM圖上沿著相互垂直的兩個(gè)方向隨機(jī)量測(cè)一定數(shù)量（數(shù)百至上千顆粒子）粒子的最大直徑，分成若干間隔，給出粒徑分布圖薄切片法觀察晶內(nèi)孔---沸石粒間孔—一次粒子堆積而成腐蝕孔---腐蝕、溶解、可控燃燒、熱分解石墨的六角蝕坑（石墨的六角蝕坑（SEM））合成氨催化劑切片合成氨催化劑切片TEM(iii) 孔結(jié)構(gòu)MCM41（TEM）當(dāng)載體上載有金屬或氧化物、硫化物、鹽類等催化活性組分時(shí)，高分散催化活性組分穩(wěn)定性提高，降低總催化活性組分用量，改變負(fù)載金屬的選擇性和比活性i)載體骨架和束縛材料考慮本身的物理結(jié)構(gòu)和表面性質(zhì)，熱穩(wěn)定性等因素氧化物為主(ii)催化活性組分在載體上的分散情況---活性組分呈一定大小、其分布的晶粒安不同均勻程度分散在載體上---活性組分呈“積雪狀”堆積在載體上（XRD無(wú)定形）---活性組分近似原子態(tài)簇狀或筏狀分散在載體上（HRTEM）（2）負(fù)載型催化劑燒結(jié)：金屬催化劑在使用和處理時(shí)，在較高溫下金金屬催化劑在使用和處理時(shí)，在較高溫下金屬分散度降低的一切過(guò)程通稱為燒結(jié)屬分散度降低的一切過(guò)程通稱為燒結(jié)無(wú)載體，兩個(gè)金屬粒子相接觸很容易燒結(jié)（Pt黑(7nm) < 100度即燒結(jié)）負(fù)載后，抗燒結(jié)性大大提高，但由于(溫度，氣氛)物理和化學(xué)作用，金屬燒結(jié)仍有發(fā)生 --- 如何改進(jìn)？晶粒過(guò)原子的遷移是燒結(jié)速率的控制步，設(shè)法減小粒子的遷移速率例如，Pt/ ?-Al2O3 熱穩(wěn)定性的TEM研究，引入錸(高熔點(diǎn)Re)的作用催化劑失活-再生?壽命？（3）負(fù)載金屬催化劑? Pt晶粒生長(zhǎng)速率Pt/ ?-Al2O3 > Pt-Re (高濃度) / ?-Al2O3 >Al2O3 > Pt-Re (低濃度)/?-Al2O3 > ?-Al2O3(a) Ni納米粒子；(b) Ni/PS核殼粒子；(c) Ni/PS/TiO2核殼粒子Hong等制備的Ni/PS/TiO2核殼粒子的TEM圖高分子網(wǎng)， Al2O3，單壁碳管局部的單晶，晶粒的生長(zhǎng)TEM images of (a) Fe3O4–2, (b) Fe3O4–4, (c) Fe3O4–6 and HRTEM of (d, e) Fe3O4–6 with its selected-area electron diffraction (SAED) pattern (f) 磁性粒子磁性粒子Fe3O4的合成，晶粒的生長(zhǎng)的合成，晶粒的生長(zhǎng)FeFe3 3O O4 4- -i i ( (i i=1=1- -6) refers to[FeCl6) refers to[FeCl3 3.6H.6H2 2O] ofO] of0.0125, 0.025, 0.05 0.100, 0.150, 0.200 mol/L0.0125, 0.025, 0.05 0.100, 0.150, 0.200 mol/L主主 要要 內(nèi)內(nèi) 容容? 電子衍射的原理? 電鏡基礎(chǔ)? 透射電鏡(TEM)及其應(yīng)用? 掃描電鏡(SEM)及其應(yīng)用? 掃描探針顯微鏡SPM(SEM/EPMA或AES）及其應(yīng)用。