
開關(guān)電源原理及其應(yīng)用
103頁開關(guān)電源原理及其應(yīng)用第一部分:功率電子器件第一節(jié):功率電子器件及其應(yīng)用要求功率電子器件大量被應(yīng)用于電源、伺服驅(qū)動(dòng)、變頻器、電機(jī)保護(hù)器等功率電子設(shè)備這些設(shè)備都是自動(dòng)化系統(tǒng)中必不可少的,因此,我們了解它們是必要的近年來,隨著應(yīng)用日益高速發(fā)展的需求,推動(dòng)了功率電子器件的制造工藝的研究和發(fā)展,功率電子器件有了飛躍性的進(jìn)步器件的類型朝多元化發(fā)展,性能也越來越改善大致來講,功率器件的發(fā)展,體現(xiàn)在如下方面:1. 器件能夠快速恢復(fù),以滿足越來越高的速度需要以開關(guān)電源為例,采用雙極型晶體管時(shí),速度可以到幾十千赫;使用 以到幾百千赫;而采用了諧振技術(shù)的開關(guān)電源,則可以達(dá)到兆赫以上2. 通態(tài)壓降(正向壓降)降低這可以減少器件損耗,有利于提高速度,減小器件體積3. 電流控制能力增大電流能力的增大和速度的提高是一對(duì)矛盾,目前最大電流控制能力,特別是在電力設(shè)備方面,還沒有器件能完全替代可控硅4. 額定電壓:耐壓高耐壓和電流都是體現(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力的重要參數(shù),特別對(duì)電力系統(tǒng),這顯得非常重要5. 溫度與功耗這是一個(gè)綜合性的參數(shù),它制約了電流能力、開關(guān)速度等能力的提高目前有兩個(gè)方向解決這個(gè)問題,一是繼續(xù)提高功率器件的品質(zhì),二是改進(jìn)控制技術(shù)來降低器件功耗,比如諧振式開關(guān)電源。
總體來講,從耐壓、電流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定場合,仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅但一般的1工業(yè)自動(dòng)化場合,功率電子器件已越來越多地使用 別是 得了更多的使用,開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件第二節(jié):功率電子器件概覽一. 整流二極管:二極管是功率電子系統(tǒng)中不可或缺的器件,用于整流、續(xù)流等目前比較多地使用如下三種選擇:1. 高效快速恢復(fù)二極管壓降 合小功率,12. 高效超快速二極管合小功率,12V 左右電源3. 肖特基勢壘整流二極管 合 5V 等低壓電源缺點(diǎn)是其電阻和耐壓的平方成正比,所以耐壓低(200V 以下),反向漏電流較大,易熱擊穿但速度比較快,通態(tài)壓降低目前 研究前沿,已經(jīng)超過 1 萬伏二.大功率晶體管 管形式電流系數(shù):10管形式——達(dá)林頓管電流倍數(shù):100和壓降大,速度慢下圖虛線部分即是達(dá)林頓管圖 1林頓管應(yīng)用2實(shí)際比較常用的是達(dá)林頓模塊,它把 流二極管、輔助電路做到一個(gè)模塊內(nèi)在較早期的功率電子設(shè)備中,比較多地使用了這種器件圖 1這種器件的內(nèi)部典型結(jié)構(gòu)`圖 1林頓模塊電路典型結(jié)構(gòu)兩個(gè)二極管左側(cè)是加速二極管,右側(cè)為續(xù)流二極管加速二極管的原理是引進(jìn)了電流串聯(lián)正反饋,達(dá)到加速的目的。
這種器件的制造水平是 1800V/800A/200V/3A/100右(參考)三. 可控硅 耐壓場合還是必須的,但在常規(guī)工業(yè)控制的低壓、中小電流控制中,已逐步被新型器件取代目前的研制水平在 12000A 左右(參考)由于可控硅換流電路復(fù)雜,逐步開發(fā)了門極關(guān)斷晶閘管 造水平達(dá)到 8率為 1右無論是 是 制電路都過于復(fù)雜,特別是需要龐大的吸收電路而且,速度低,因此限制了它的應(yīng)用范圍拓寬集成門極換流晶閘管 斷晶閘管之類的器件在控制門極前使用了 ,從而達(dá)到硬關(guān)斷能力四. 功率 特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)功率小,速度高,安全工作區(qū)寬但高壓時(shí),導(dǎo)通電阻與電壓的平方成正比,因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難適合低壓 100V 以下,是比較理想的器件目前的研制水平在 1000V/65A 左右(參考)商業(yè)化的產(chǎn)品達(dá)到 60V/200A/200V/50A/100目前速度最快的功率器件五. 這種器件的特點(diǎn)是集 優(yōu)點(diǎn)于一身輸入阻抗高,速度快,熱穩(wěn)定性好通態(tài)電壓低,耐壓高,電流大目前這種器件的兩個(gè)方向:一是朝大功率,二是朝高速度發(fā)展大功率 塊達(dá)到 1200800水平(參考)速度在中等電壓區(qū)域(370可達(dá)到 150的電流密度比 ,芯片面積只有 40%。
但速度比 盡管電力電子器件發(fā)展過程遠(yuǎn)比我們現(xiàn)在描述的復(fù)雜,但是 別是 經(jīng)成為現(xiàn)代功率電子器件的主流因此,我們下面的重點(diǎn)也是這兩種器件第三節(jié):功率場效應(yīng)管 .原理:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣的同事可以查閱實(shí)際上,功率場效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型但通常指后者中的 ,即 它又分為 N 溝道、P 溝道兩種器件符號(hào)如下:N 溝道 P 溝道圖 1圖形符號(hào)件的電極分別為柵極 G、漏極 D、源極 S和普通 一樣,它也有:耗盡型:柵極電壓為零時(shí),即存在導(dǎo)電溝道無論 強(qiáng)型:需要正偏置柵極電壓,才生成導(dǎo)電溝道達(dá)到飽和前, 一般使用的功率 數(shù)是 N 溝道增強(qiáng)型而且不同于一般小功率 的橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu),使用了垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),從而提高了耐壓、電流能力,因此又叫 .特點(diǎn):這種器件的特點(diǎn)是輸入絕緣電阻大(1 萬兆歐以上),柵極電流基本為零驅(qū)動(dòng)功率小,速度高,安全工作區(qū)寬但高壓時(shí),導(dǎo)通電阻與電壓的平方成正比,因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難適合低壓 100V 以下,是比較理想的器件目前的研制水平在 1000V/65A 左右(參考)其速度可以達(dá)到幾百 用諧振技術(shù)可以達(dá)到兆級(jí)三.參數(shù)與器件特性:無載流子注入,速度取決于器件的電容充放電時(shí)間,與工作溫度關(guān)系不大,故熱穩(wěn)定性好。
1) 轉(zhuǎn)移特性:為轉(zhuǎn)移特性從下圖可以看到,隨著導(dǎo)將越來越高圖 1轉(zhuǎn)移特性(2) 輸出特性(漏極特性):輸出特性反應(yīng)了漏極電流隨 個(gè)特性和 圖反映了這種規(guī)律圖中,爬坡段是非飽和區(qū),水平段為飽和區(qū),靠近橫軸附近為截止區(qū),這點(diǎn)和 區(qū)別輸出特性 時(shí)的飽和電流稱為飽和漏電流 3)通態(tài)電阻 態(tài)電阻是器件的一個(gè)重要參數(shù),決定了電路輸出電壓幅度和損耗該參數(shù)隨溫度上升線性增加而且 態(tài)電阻減小4)跨導(dǎo):增益特性稱為跨導(dǎo)定義為:I D/ΔV 個(gè)數(shù)值越大越好,它反映了管子的柵極控制能力5)柵極閾值電壓柵極閾值電壓 的最低柵極電壓它具有負(fù)溫度系數(shù),結(jié)溫每增加 45 度,閾值電壓下降10%6)電容一個(gè)明顯特點(diǎn)是三個(gè)極間存在比較明顯的寄生電容,這些電容對(duì)開關(guān)速度有一定影響偏置電壓高時(shí),電容效應(yīng)也加大,因此對(duì)高壓電子系統(tǒng)會(huì)有一定影響 有些資料給出柵極電荷特性圖,可以用于估算電容的影響以柵源極為例,其特性如下:可以看到:器件開通延遲時(shí)間內(nèi),電荷積聚較慢隨著電壓增加,電荷快速上升,對(duì)應(yīng)著管子開通時(shí)間最后,當(dāng)電壓增加到一定程度后,電荷增加再次變慢,此時(shí)管子已經(jīng)導(dǎo)通圖 1極電荷特性(8)正向偏置安全工作區(qū)及主要參數(shù)雙極型晶體管一樣,也有它的安全工作區(qū)。
不同的是,它的安全工作區(qū)是由四根線圍成的最大漏極電流 個(gè)參數(shù)反應(yīng)了器件的電流驅(qū)動(dòng)能力最大漏源極電壓 由器件的反向擊穿電壓決定最大漏極功耗 由管子允許的溫升決定漏源通態(tài)電阻 是 須考慮的一個(gè)參數(shù),通態(tài)電阻過高,會(huì)影響輸出效率,增加損耗所以,要根據(jù)使用要求加以限制圖 1向偏置安全工作區(qū)第四節(jié):絕緣柵雙極晶體管 .原理:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣的同事可以查閱該器件符號(hào)如下:N 溝道 P 溝道圖 1圖形符號(hào)G 的三個(gè)電極分別為門極 G、集電極 C、發(fā)射極 E圖 1等效電路圖上面給出了該器件的等效電路圖實(shí)際上,它相當(dāng)于把 和達(dá)林頓晶體管做到了一起因而同時(shí)具備了 、優(yōu)點(diǎn)二.特點(diǎn):這種器件的特點(diǎn)是集 優(yōu)點(diǎn)于一身輸入阻抗高,速度快,熱穩(wěn)定性好通態(tài)電壓低,耐壓高,電流大它的電流密度比 ,芯片面積只有 40%但速度比 低大功率 塊達(dá)到 1200800水平(參考)速度在中等電壓區(qū)域(370可達(dá)到 150.參數(shù)與特性:(1)轉(zhuǎn)移特性圖 1轉(zhuǎn)移特性這個(gè)特性和 其類似,反映了管子的控制能力輸出特性圖 1輸出特性它的三個(gè)區(qū)分別為:靠近橫軸:正向阻斷區(qū),管子處于截止?fàn)顟B(tài)爬坡區(qū):飽和區(qū),隨著負(fù)載電流 化,U 所謂飽和狀態(tài)。
水平段:有源區(qū)3)通態(tài)電壓 1態(tài)電壓和 較所謂通態(tài)電壓,是指 入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降 個(gè)電壓隨 上圖可以看到,態(tài)電壓在電流比較大時(shí),小于 正溫度系數(shù),電流為負(fù)溫度系數(shù),大電流范圍內(nèi)為正溫度系數(shù)4)開關(guān)損耗:常溫下, 關(guān)斷損耗差不多關(guān)損耗與溫度關(guān)系不大,但 增加 100 度,損耗增加 2 倍開通損耗 均比 小,而且二者都對(duì)溫度比較敏感,且呈正溫度系數(shù)流越大,損耗越高5)安全工作區(qū)與主要參數(shù) 安全工作區(qū)是由電流 壓 耗 1功耗特性最大集射極間電壓 決于反向擊穿電壓的大小最大集電極功耗 決于允許結(jié)溫最大集電極電流 受元件擎住效應(yīng)限制所謂擎住效應(yīng)問題:由于 在一個(gè)寄生的晶體管,當(dāng) 生晶體管導(dǎo)通,柵極失去控制作用此時(shí),漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小6)柵極偏置電壓與電阻性主要受柵極偏置控制,而且受浪涌電壓影響其di/顯和柵極偏置電壓、電阻 關(guān),電壓越高,di/大,電阻越大,di/小而且,柵極電壓和短路損壞時(shí)間關(guān)系也很大,柵極偏置電壓越高,短路損壞時(shí)間越短關(guān)電源基礎(chǔ)第一節(jié):開關(guān)電源的基本控制原理一.開關(guān)電源的控制結(jié)構(gòu):一般地,開關(guān)電源大致由輸入電路、變換器。



![[精編]吳教人[]13號(hào)](/Images/s.gif)








